龙啸, 材料科学博士，中国科学院微电子研究所助理研究员，中国科学院特别研究助理择优项目/中国科学院青苗计划B类青年骨干项目获得者。具有半导体物理、晶体学、凝聚态物理等专业背景，曾留学西班牙巴塞罗那材料研究所（ICMAB-CSIC），导师为欧洲氧化物电子领域知名学者Prof. Josep Fontcuberta、Ramón y Cajal基金获得者Dr. Ignasi Fina。学术成果发表于Nature Communications、Advanced Electronic Materials、ACS Applied Electronic Materials等国际知名期刊。目前研究兴趣为借助铁电薄膜器件实现神经计算（Neuromorphic Computing）、存算一体（Computing in Memory）等功能。

欢迎有兴趣的青年才俊积极报考研究生，具体课题方向如下：

• 超薄铁电隧道结存储器件（Ultrathin ferroelectric tunnel junction）
• 光铁电隧道结及铁电光伏效应（Photoferroelectric tunnel junction & Ferroelectric photovoltaic effect）
• 铁电隧道结界面设计及退极化场效应（FTJ interface design & Depolarization field effect）
• 原子层沉积及脉冲激光沉积工艺（ALD & PLD process）

地址：北京市朝阳区北土城西路3号

邮箱：longxiao@ime.ac.cn